Especificaciones
-Capacidad: 512GB
-Factor de forma: M.2 2280 con disipador
-NAND Flash: NAND 3D
-Interfaz: PCIe Gen 4×4
-Lectura secuencial (máx): Hasta 6320 MB/s
-Escritura secuencial (máx): Hasta 3111 MB/s
-IOPS de lectura aleatoria de 4 KB (máx.): Hasta 583K
-IOPS de escritura aleatoria de 4 KB (máx.): Hasta 525K
-Temperatura de operación: 0 °C – 70 °C
-Temperatura de almacenamiento: -40 °C / 85 °C
-MTBF: 2.000.000 horas
-Terabytes escritos (TBW): 375TB
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